根據(jù)用途的不一樣，能夠選取各種結(jié)構(gòu)的等離子清洗設(shè)備，經(jīng)過選取不一樣種類的氣體，調(diào)整裝置的特征參數(shù)，最大限度地優(yōu)化工藝流程。但是，等離子體處理設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)大致相同。一般裝置可由真空室、真空泵、高壓電源、電極、氣體導入系統(tǒng)、鑄件傳輸系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。常用的真空泵是轉(zhuǎn)動油泵，高壓電源往往是13.56兆赫茲無線電波。設(shè)備的運行過程如下:
(1)等離子體處理設(shè)備清洗過的鑄件被送進真空室并固定，啟動運轉(zhuǎn)裝置，開始排氣，使真空室真空度達到十帕上下的規(guī)范真空度。一般排氣時間2分鐘上下。
(2)將等離子體處理設(shè)備中使用的氣體引入真空室，并將其壓力保持在100帕。根據(jù)清洗材料的不一樣，能夠選取氧氣、氫氣、氬氣或氮氣。
(3)在真空室的電極和接地裝置之間施加高頻電壓，破壞氣體，經(jīng)過電弧放電形成離子和等離子體。將真空室形成的等離子體完全涵蓋處理鑄件，并開始清洗操作。往往清潔處理持續(xù)幾十秒到幾分鐘。
(4)等離子體處理設(shè)備清洗后，切斷高頻電壓，排出氣體和氣化污垢，將空氣鼓入真空室，將氣壓升至大氣壓。
接下來，我們將介紹等離子清洗設(shè)備在半導體中的應(yīng)用。由于半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導體芯片表層質(zhì)量，特別是表層質(zhì)量明確提出了更好的規(guī)范。其中，晶片表面微粒和金屬雜質(zhì)的污染將嚴重影響設(shè)備的質(zhì)量和產(chǎn)量。當前集成電路生產(chǎn)中，由于芯片表面的污染，材料的損耗仍超過50%。

      半成品過程中，幾乎每一個工序都要進行清洗，晶片清洗質(zhì)量嚴重影響設(shè)備的性能。但是，由于半導體制造需要有機和無機物質(zhì)的參與，工藝總是由凈化室的人進行，半導體晶片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染。正是因為晶圓清洗是半導體制造過程中非常重要和頻繁的一步，制造商首選等離子體處理設(shè)備技術(shù)，消除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬離子和氧化物，提高芯片設(shè)備的良率、性能和可靠性。